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防爆手电筒的发光原理及特性

发布时间:2020-04-15      点击次数:2160
防爆手电筒的发光原理:发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物,如GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)、GaAsP(磷砷化镓)等半导体制成的,其核心是PN结。因此它具有一般P-N结的I-N特性,即正向导通,反向截止、击穿特性。此外,在一定条件下,它还具有发光特性。在正向电压下,电子由N区注入P区,空穴由P区注入N区。进入对方区域的少数载流子(少子)一部分与多数载流子(多子)复合而发光 。

防爆手电筒的特性:

(1)允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的大值。超过此值,LED发热、损坏。

(2)大正向直流电流IFm:允许加的大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。

(3)大反向电压VRm:所允许加的大反向电压。超过此值,发光二极管可能被击穿损坏。

(4)工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围,发光二极管将不能正常工作,效率大大降低。

(5)打开电源时,不会产生火花,从而在危险空间不会因火花而发生爆炸的可能,达到防爆的效果,所以叫防爆手电。
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